Samsung Electronics объявил о беспрецедентных инвестициях в размере 110 триллионов вон ($73,3 млрд) в расширение производственных мощностей и исследования в области полупроводников на 2026 год. Это на 22% больше, чем компания потратила годом ранее, и превышает капитальные расходы TSMC ($52–56 млрд) за аналогичный период.
Основная цель инвестиций — догнать и обогнать SK Hynix, которая в последние годы стала доминирующим поставщиком памяти HBM (High Bandwidth Memory) для NVIDIA. Именно чипы HBM являются ключевым компонентом современных ИИ-ускорителей, обеспечивая сверхбыструю передачу данных для обучения и работы нейросетей.
Samsung представил дорожную карту развития HBM4E и продемонстрировал свой расширенный портфель памяти для систем ИИ нового поколения. Компания нацелена на платформу NVIDIA Vera Rubin и планирует поставлять для неё решения на базе HBM4, конкурируя с SK Hynix за контракты крупнейшего производителя ИИ-ускорителей в мире.
Помимо памяти, Samsung расширяет литейное производство (foundry), инвестируя в освоение 2-нанометрового техпроцесса. Новые процессоры на этом узле обещают значительное повышение энергоэффективности и производительности, что критично для дата-центров, потребляющих всё больше электроэнергии на обслуживание ИИ-нагрузок.
Стратегическим шагом стало партнёрство Samsung с AMD: корейский гигант будет поставлять память HBM4 и DDR5 для будущих ИИ-ускорителей и серверов AMD. Это диверсифицирует клиентскую базу Samsung и снижает зависимость от единственного покупателя — NVIDIA.
Аналитики отмечают, что инвестиции Samsung отражают новую реальность полупроводниковой отрасли: память и литейное производство оказались в центре инфраструктуры искусственного интеллекта. Гонка за лидерство в ИИ-чипах определит, какие компании будут контролировать цепочку поставок самой быстрорастущей технологии десятилетия.
